1. 为什么我最终选了 MR25H40CDF 搭配 STM32L442KC

1.1 一个真实项目场景引出的存储需求

去年接手一个工业数据采集终端的项目，设备装在配电柜里，要求每 100ms 采集一次三相电流电压，断电后关键数据不能丢，而且设备要连续跑五年以上不换电池。这个需求一摆出来，存储方案的选择就变得很窄了。传统的 EEPROM 写入速度慢、擦写寿命有限，SPI NOR Flash 虽然容量大，但写入前要擦除整个扇区，频繁写入的场景下寿命消耗极快，而且掉电瞬间如果正在擦写，数据直接丢失。FRAM 读写快、寿命高，但容量小、价格贵，做参数存储还行，做高频数据记录就捉襟见肘了。

后来在选型阶段注意到了 Everspin 的 MR25H40CDF，这是一颗 4Mbit 的 MRAM（磁性随机存储器），SPI 接口，最关键的是它没有擦除操作，写入就是直接覆盖，字节级可写，写入次数理论上无限。这一点直接解决了我的核心痛点。主控方面选了 STM32L442KC，Cortex-M4 内核带 FPU，80MHz 主频，超低功耗系列，Stop 模式下功耗只有微安级，而且硬件 SPI 外设成熟稳定，跟 MR25H40CDF 搭配非常合适。

这套组合我前后调了两周，踩了不少坑，也总结了一些经验。下面把整个方案的设计思路、硬件连接、软件实现、调试过程完整地分享出来，给正在做类似工业存储需求的同行一个参考。

1.2 MR25H40CDF 到底解决了什么问题

先说清楚这颗芯片的定位。MR25H40CDF 是 4Mbit 容量的 MRAM，也就是 512KB，组织方式是 512K x 8bit。SPI 接口支持 Mode 0 和 Mode 3，最高时钟频率 40MHz。工作电压 2.7V 到 3.6V，工业级温度范围 -40 到 +85 摄氏度。这些参数看起来平平无奇，但它的核心优势在于存储机理。

MRAM 用的是磁性隧道结（MTJ）来存储数据，而不是像 Flash 那样靠浮栅电荷。磁性材料的磁化方向一旦设定，断电后依然保持，不需要刷新，也不需要维持电压。写入的时候通过电流产生的磁场翻转磁化方向，这个过程没有电荷注入和隧穿氧化层退化的问题，所以写入寿命是无限的。官方数据是写入次数无限制，数据保持时间超过 20 年。

对比一下常见方案就很清楚了：

从表里能看出来，MR25H40CDF 的定位就是"要容量有容量、要速度有速度、要寿命有寿命"，代价就是价格比 Flash 贵不少。所以它适合的场景很明确：工业设备参数存储、高频数据记录、掉电关键数据保护、需要长期免维护的嵌入式系统。如果你的项目只是存个固件配置、偶尔写一次，那用 Flash 就够了，没必要上 MRAM。

1.3 STM32L442KC 作为主控的匹配度分析

STM32L442KC 属于 STM32L4 系列，超低功耗，Cortex-M4 带 FPU，最高 80MHz。封装是 UFQFPN32，5x5mm，很小，适合空间受限的板子。它有 256KB Flash、64KB SRAM，对于数据采集终端来说够用。关键是它有两个 SPI 接口，SPI1 挂在 APB2 上，最高 40MHz，SPI2 挂在 APB1 上，最高 20MHz。我选 SPI1 来驱动 MR25H40CDF，因为 40MHz 的时钟能充分发挥 MRAM 的速度优势。

功耗方面，STM32L442KC 在 Run 模式下约 100uA/MHz，Stop 2 模式下约 1.1uA，Standby 模式下约 0.3uA。配合 MRAM 的非易失特性，系统可以在不采集数据的时候进入 Stop 模式，需要写数据时唤醒，写完继续睡。整个系统的平均功耗可以压到很低，用电池供电跑几年没问题。

还有一点，STM32L442KC 内置了硬件 CRC 单元和真随机数发生器，做数据校验和加密存储的时候很方便。工业现场电磁干扰大，数据完整性校验是必须的，硬件 CRC 比软件计算快得多，也不占 CPU。

2. 硬件连接与 SPI 时序那些事

2.1 引脚连接方案与注意事项

MR25H40CDF 是 8 引脚 SOIC 封装，引脚定义如下：

• 引脚 1：CS（片选，低有效）
• 引脚 2：SO（数据输出，MISO）
• 引脚 3：WP（写保护，低有效）
• 引脚 4：VSS（地）
• 引脚 5：SI（数据输入，MOSI）
• 引脚 6：SCK（时钟）
• 引脚 7：HOLD（保持，低有效）
• 引脚 8：VDD（电源）

跟 STM32L442KC 的连接方式：

这里有几个坑要重点说。第一，WP 和 HOLD 引脚不能悬空。我一开始图省事把这两个脚空着，结果写入偶尔失败，查了半天才发现是引脚浮空导致状态不确定。后来把 WP 和 HOLD 都直接接到 VDD，问题消失。如果你需要动态控制写保护，可以把 WP 接到一个 GPIO 上，但记得初始化时拉高。

第二，CS 片选用硬件 NSS 还是软件 GPIO。STM32 的硬件 NSS 在多主模式下有自动管理功能，但单主模式下用起来反而麻烦，容易出现时序问题。我建议直接用普通 GPIO 控制 CS，在 SPI 传输前后手动拉低拉高，时序完全可控。我用的就是 PA4 配置为推挽输出，速度设为 Very High。

第三，SPI 时钟极性相位要匹配。MR25H40CDF 支持 Mode 0（CPOL=0, CPHA=0）和 Mode 3（CPOL=1, CPHA=1）。我选 Mode 0，因为这是最常用的模式，STM32 的 SPI 初始化也简单。配置的时候 CPOL=0，CPHA=0，数据在 SCK 上升沿采样，下降沿变化。

2.2 SPI 时序参数计算与实测验证

MR25H40CDF 的 SPI 时序有几个关键参数需要核对：

• SCK 时钟频率：最高 40MHz
• CS 建立时间（tSLCH）：最小 5ns
• CS 保持时间（tCHSH）：最小 5ns
• 数据建立时间（tDVCH）：最小 2ns
• 数据保持时间（tCHDX）：最小 3ns
• 输出有效时间（tCLQV）：最大 8ns（从 SCK 下降沿到 SO 有效）

STM32L442KC 在 80MHz 主频下，SPI1 挂在 APB2 上，APB2 时钟也是 80MHz。SPI 波特率预分频器可以设为 2、4、8、16、32、64、128、256。要得到 40MHz 的 SCK，预分频设为 2，即 80MHz / 2 = 40MHz。但实际用的时候我建议先降到 20MHz 调试，等逻辑分析仪确认时序没问题再往上提。

我实测的时候用逻辑分析仪抓了波形，发现 40MHz 下 SCK 的上升沿有点缓，因为 PCB 走线有寄生电容。后来在 SCK 线上串了一个 22 欧姆的电阻，波形明显改善。这个电阻叫源端匹配电阻，能抑制反射，高速 SPI 走线长的时候很有用。

还有一个细节，CS 拉低到第一个 SCK 上升沿之间要有足够延时。MR25H40CDF 要求 tSLCH 最小 5ns，STM32 的 GPIO 翻转速度很快，一般没问题，但如果你在 CS 拉低后立即启动 SPI 传输，中间没有延时，某些情况下会违反这个时序。我的做法是在 CS 拉低后插入一个 __NOP() 或者几个空指令，确保满足建立时间。

2.3 电源与去耦设计经验

MRAM 在写入瞬间会有较大的电流脉冲，虽然平均电流不大，但瞬态电流可能达到几十毫安。如果电源去耦没做好，写入的时候 VDD 会跌落，导致写入失败甚至数据损坏。我在 VDD 和 GND 之间放了两个电容：一个 100nF 的陶瓷电容紧贴芯片引脚，一个 10uF 的钽电容放在附近。100nF 负责高频去耦，10uF 负责储能，应对写入瞬态。

PCB 布局上，MR25H40CDF 尽量靠近 STM32，SPI 走线尽量短且等长。SCK 和 MOSI 是高速信号，走线要避免直角和过孔，最好走微带线。MISO 是输入，相对没那么敏感，但也要注意不要跟 SCK 平行走太长，避免串扰。

地平面要完整，不要被其他信号割裂。我见过一个板子把 SPI 走线跨过了地平面的分割缝，结果通信误码率很高，后来重新铺地就好了。这个坑很典型，高速信号的回流路径一定要连续。

3. 软件驱动实现：从寄存器操作到 HAL 库封装

3.1 STM32CubeMX 配置要点

我用 STM32CubeMX 生成初始化代码，省去手动配置寄存器的麻烦。具体配置步骤：

1. 时钟配置：HSE 选 8MHz 外部晶振，PLL 倍频到 80MHz，APB2 不分频，保持 80MHz。
2. SPI1 配置：Mode 选 Full-Duplex Master，Data Size 8bit，CPOL=0，CPHA=0，NSS 选 Software，Prescaler 先设 4（20MHz），First Bit 选 MSB。
3. GPIO 配置：PA4 设为 GPIO_Output，初始电平 High，推挽输出，无上下拉，速度 Very High。
4. 生成代码时选 HAL 库，不要选 LL 库，HAL 库封装好，移植方便。

生成代码后，SPI 的句柄是 hspi1，GPIO 的句柄在 gpio.c 里。我习惯把 MRAM 相关的操作封装成一个独立的模块，比如 mram.c 和 mram.h，这样代码结构清晰，也方便复用。

3.2 MR25H40CDF 指令集解析

MR25H40CDF 的指令集不复杂，常用的就几条：

重点说几个。WREN 是每次写入前必须发的，MRAM 不像 Flash 那样有全局写保护锁，但每次写操作前都要发 WREN 来使能写入。写完一帧数据后，WREN 自动复位，下次写还要再发。这个设计是为了防止误写入，安全性更高。

RDID 用来确认通信是否正常。上电初始化后，先发 RDID，读回 8 个字节的 ID，前几个字节是厂商代码和产品代码。MR25H40CDF 的 RDID 返回值我实测是 0x0E 0x01 0x00 0x00 0x00 0x00 0x00 0x00，第一个字节 0x0E 是 Everspin 的厂商代码。如果读回来全是 0xFF 或者 0x00，说明 SPI 通信有问题，先查硬件。

状态寄存器的 WEL 位（Write Enable Latch）可以读出来确认 WREN 是否生效。RDSR 返回的 bit1 是 WEL，发完 WREN 后读一下，如果是 1 说明写使能成功，可以继续写数据。这个检查在调试阶段很有用，能快速定位是 WREN 没发成功还是数据没写进去。

3.3 底层读写函数实现

先定义 CS 控制宏：

#define MRAM_CS_LOW() HAL_GPIO_WritePin(GPIOA, GPIO_PIN_4, GPIO_PIN_RESET) #define MRAM_CS_HIGH() HAL_GPIO_WritePin(GPIOA, GPIO_PIN_4, GPIO_PIN_SET)

写使能函数：

void MRAM_WriteEnable(void) { uint8_t cmd = 0x06; MRAM_CS_LOW(); HAL_SPI_Transmit(&hspi1, &cmd, 1, 100); MRAM_CS_HIGH(); }

读状态寄存器：

uint8_t MRAM_ReadStatus(void) { uint8_t cmd = 0x05; uint8_t status = 0; MRAM_CS_LOW(); HAL_SPI_Transmit(&hspi1, &cmd, 1, 100); HAL_SPI_Receive(&hspi1, &status, 1, 100); MRAM_CS_HIGH(); return status; }

写数据函数，注意地址是 24 位的，要分三个字节发：

void MRAM_Write(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t len) { uint8_t cmd[4]; cmd[0] = 0x02; cmd[1] = (addr >> 16) & 0xFF; cmd[2] = (addr >> 8) & 0xFF; cmd[3] = addr & 0xFF; MRAM_WriteEnable(); // 确认 WEL 置位 while ((MRAM_ReadStatus() & 0x02) == 0); MRAM_CS_LOW(); HAL_SPI_Transmit(&hspi1, cmd, 4, 100); HAL_SPI_Transmit(&hspi1, data, len, 1000); MRAM_CS_HIGH(); }

读数据函数类似：

void MRAM_Read(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint16_t len) { uint8_t cmd[4]; cmd[0] = 0x03; cmd[1] = (addr >> 16) & 0xFF; cmd[2] = (addr >> 8) & 0xFF; cmd[3] = addr & 0xFF; MRAM_CS_LOW(); HAL_SPI_Transmit(&hspi1, cmd, 4, 100); HAL_SPI_Receive(&hspi1, buf, len, 1000); MRAM_CS_HIGH(); }

这里有个细节，HAL_SPI_Transmit 和 HAL_SPI_Receive 的超时时间要设够。我一开始设 100ms，写 256 字节的时候偶尔超时，后来改成 1000ms 就没问题了。40MHz 下写 256 字节理论时间不到 100us，但 HAL 库有函数调用开销，加上中断干扰，实际时间会长一些。超时设大点不影响正常功能，只是防止死等。

3.4 数据完整性校验方案

工业现场干扰大，SPI 通信可能出错，写入的数据也可能因为电源波动而损坏。我加了两层校验：硬件 CRC 和软件校验和。

STM32L442KC 有硬件 CRC 单元，配置成 CRC-32 模式，多项式 0x04C11DB7。每次写一帧数据前，先算好 CRC，把 CRC 附在数据后面一起写入。读的时候重新算 CRC，跟存储的 CRC 对比，不一致就说明数据损坏。

uint32_t crc = HAL_CRC_Calculate(&hcrc, (uint32_t*)data, len/4);

注意 HAL_CRC_Calculate 是按 32 位计算的，数据长度要能被 4 整除，不够的补零。如果数据长度不是 4 的倍数，可以手动处理剩余字节。

除了 CRC，我还在数据结构里加了一个序号字段和魔数字段。魔数是一个固定的值，比如 0xA5A5A5A5，读出来如果魔数不对，说明这块区域还没写过或者被擦除了。序号用来判断数据的新旧，做双备份的时候很有用。

4. 工业场景下的数据存储策略

4.1 双备份与磨损均衡的取舍

MRAM 写入寿命无限，所以不需要像 Flash 那样做复杂的磨损均衡。但双备份还是有必要，因为虽然存储单元不会坏，但电源波动、电磁干扰可能导致写入过程中断，数据写了一半。双备份的做法是在 MRAM 里划两个区域，A 区和 B 区，每次写数据交替写入，同时更新一个标志位记录当前哪个区是有效的。

具体实现：在 MRAM 的起始地址放一个 4 字节的标志，值 0xAAAAAAAA 表示 A 区有效，0x55555555 表示 B 区有效。写数据的时候，先读标志，如果 A 区有效就写 B 区，写完把标志改成 B 区有效。这样即使写 B 区的时候掉电，A 区的数据还是完整的，下次上电读标志发现还是 A 区有效，数据不丢。

这个方案比 Flash 的双备份简单得多，因为 MRAM 不需要擦除，写 B 区的时候直接覆盖旧数据就行，不用先擦后写。整个写入过程时间很短，掉电窗口很小。

4.2 高频数据记录的分页管理

我的项目里每 100ms 记录一次数据，一天就是 864000 条，每条 32 字节，一天的数据量约 27MB。MRAM 只有 512KB，存不下这么多。所以需要分页管理，循环覆盖旧数据。

我把 MRAM 分成 16 个页，每页 32KB。数据按页写入，写满一页就跳到下一页，写到最后一页再回到第一页覆盖。每页头部放一个页头结构，记录这一页的起始时间戳、写入位置、有效数据长度。读数据的时候根据时间戳定位到对应的页，再从页内偏移读取。

页头结构定义：

typedef struct { uint32_t magic; // 0x50414745 "PAGE" uint32_t start_time; // 页起始时间戳 uint16_t write_pos; // 当前写入位置 uint16_t data_count; // 已写入条数 uint32_t crc; // 页头 CRC } PageHeader_t;

每次写数据前先读页头，检查魔数和 CRC，确认页头有效。然后从 write_pos 位置写入数据，更新 write_pos 和 data_count，最后更新页头 CRC。页头也放在 MRAM 里，每次更新都是直接覆盖，没有擦除开销。

4.3 掉电保护与恢复流程

掉电保护的核心是快速检测掉电并完成关键数据写入。STM32L442KC 有 PVD（可编程电压检测器），可以设置一个阈值，比如 2.9V，当 VDD 降到 2.9V 时触发中断，在中断里把关键数据写入 MRAM。

PVD 中断服务函数：

void PVD_IRQHandler(void) { if (__HAL_PWR_GET_FLAG(PWR_FLAG_PVDO)) { // 掉电，紧急保存关键数据 MRAM_Write(CRITICAL_ADDR, (uint8_t*)&critical_data, sizeof(critical_data)); // 进入待机或停机 HAL_PWR_EnterSTANDBYMode(); } }

这里要注意，PVD 中断里不能做太耗时的操作，因为电源电压在持续下降，留给你的时间可能只有几毫秒。所以关键数据要精简，只存最重要的参数，比如当前时间戳、累计量、状态标志。历史数据已经在正常运行时写入了，不需要在掉电时补写。

上电恢复流程：系统启动后先读 MRAM 里的关键数据，检查魔数和 CRC，如果有效就恢复到内存变量，如果无效就用默认值初始化。然后读页头，找到最后一个有效页，从 write_pos 继续写入。

5. 调试过程中踩过的坑与排查技巧

5.1 SPI 通信失败的五种典型原因

调试阶段我遇到过好几次 SPI 通信失败，总结下来主要有五种原因：

第一种，CS 时序不对。CS 拉低后没有延时就直接发时钟，或者 CS 拉高太早，最后一个字节还没发完就拉高了。用逻辑分析仪抓波形一看就清楚。解决方法是 CS 操作前后加延时，确保满足 tSLCH 和 tCHSH。

第二种，SPI 模式不匹配。MR25H40CDF 支持 Mode 0 和 Mode 3，如果 STM32 配成 Mode 1 或 Mode 2，数据采样边沿就错了，读回来全是乱码。检查 CPOL 和 CPHA 配置，确保跟芯片手册一致。

第三种，时钟太快。40MHz 在杜邦线连接的开发板上可能跑不稳，线太长、寄生电容大，信号质量差。降到 10MHz 试试，如果通了就是信号完整性问题，需要改 PCB 或者加匹配电阻。

第四种，WP 或 HOLD 引脚浮空。这两个引脚低有效，浮空时状态不确定，可能导致写入被禁止或者通信被挂起。直接接 VDD 最省事。

第五种，电源去耦不足。写入瞬间 VDD 跌落，导致芯片复位或写入失败。示波器看 VDD 波形，如果有明显跌落，加电容或者换更大容量的钽电容。

5.2 数据写入后读出来不对怎么查

写入成功但读出来数据不对，这个问题比较隐蔽。我的排查步骤：

1. 先读 RDID，确认芯片 ID 正确，排除芯片本身的问题。
2. 读状态寄存器，确认 WEL 位在写入前是 1，写入后变回 0。
3. 用逻辑分析仪抓写入和读取的完整波形，对比发送的数据和接收的数据。
4. 检查地址是否越界。MR25H40CDF 的地址范围是 0x00000 到 0x7FFFF，超出这个范围地址会回绕，写进去的数据可能覆盖了其他区域。
5. 检查数据长度。SPI 传输是流式的，如果发送的长度和接收的长度不一致，数据会错位。

我遇到过一次，写入地址算错了，本来要写 0x1000，结果写到了 0x0000，把页头覆盖了，导致整个页的数据都读不出来。后来加了一个地址范围检查函数，每次写入前先校验地址，避免越界。

5.3 常见问题速查表

6. 性能实测与优化建议

6.1 读写速度实测数据

我用逻辑分析仪和示波器实测了不同 SPI 时钟下的读写速度：

40MHz 下写 256 字节只要 120us，这个速度比 Flash 快了两个数量级。Flash 写 256 字节要先擦除 4KB 扇区（约 50ms），再编程（约 0.7ms），总共 50ms 以上。MRAM 直接覆盖写，120us 搞定，差距非常明显。

6.2 功耗优化技巧

系统大部分时间在采集数据，但采集间隔可以优化。我的做法是采集完一批数据后进入 Stop 2 模式，用 RTC 定时唤醒。STM32L442KC 在 Stop 2 模式下功耗约 1.1uA，MRAM 在待机时功耗约 10uA（CS 高电平时进入待机）。整体平均功耗可以压到 50uA 以下，用 2000mAh 的电池能跑四年多。

SPI 时钟在不需要通信的时候要关掉。HAL 库的 HAL_SPI_Transmit 结束后 SPI 外设还在运行，会消耗额外功耗。可以在通信结束后调用 __HAL_SPI_DISABLE(&hspi1)，下次通信前再 __HAL_SPI_ENABLE(&hspi1)。

MRAM 本身有 SLEEP 指令（0xB9），发完之后芯片进入低功耗模式，功耗降到几微安。唤醒用 WAKE 指令（0xAB）。如果系统长时间不写数据，可以发 SLEEP 省电。

6.3 长期运行的可靠性验证

工业设备要求长期稳定运行，我做了几项验证：

高温老化测试：把板子放在 85 摄氏度恒温箱里连续跑 72 小时，每 100ms 写一次数据，读回校验。结果零误码，MRAM 在高温下表现稳定。

反复掉电测试：用继电器控制电源，随机断电，每次断电后重新上电，检查数据完整性。做了 1000 次，关键数据没有丢失，双备份机制有效。

EMC 测试：在设备旁边放一个对讲机，发射时观察 SPI 通信是否受影响。发现偶尔有误码，加了 CRC 校验后能检测出来并重写，系统不会因为干扰而崩溃。

这些测试做完，我对这套方案的信心就比较足了。MRAM 的可靠性确实比 Flash 和 EEPROM 高一个档次，虽然贵一点，但在关键应用里值得。

7. 这套方案还能怎么扩展

7.1 多芯片级联扩展容量

512KB 如果不够用，可以挂多片 MR25H40CDF。SPI 总线是共享的，每片用一个独立的 CS 引脚。STM32L442KC 的 GPIO 足够多，挂 4 片就是 2MB，挂 8 片就是 4MB。软件上维护一个芯片索引，根据地址范围选择对应的 CS。

多片级联的时候要注意总线的负载。每片 MRAM 的输入电容约 10pF，挂 8 片就是 80pF，加上 PCB 走线电容，40MHz 下可能驱动不了。解决办法是降低 SPI 时钟到 20MHz，或者在总线上加一个缓冲器。

7.2 结合 DMA 提升吞吐率

STM32L442KC 的 SPI1 支持 DMA。如果要连续写入大量数据，用 DMA 可以解放 CPU，让 CPU 去处理其他任务。配置 DMA 通道，把数据缓冲区的地址和长度告诉 DMA，启动传输，传输完成触发中断。

DMA 配置示例：

HAL_SPI_Transmit_DMA(&hspi1, data, len);

注意 DMA 传输期间 CS 要保持低电平，传输完成中断里再拉高。DMA 的传输完成回调函数里处理 CS 和后续逻辑。

7.3 数据加密存储的考虑

工业设备的数据可能涉及敏感信息，比如电表读数、设备运行参数。如果设备被拆开，MRAM 里的数据可能被读取。可以在写入前对数据做加密，读出后解密。STM32L442KC 有硬件 AES 单元，加密速度快，不占 CPU。

AES 加密示例：

HAL_CRYP_AESECB_Encrypt(&hcryp, data, len, encrypted, 1000);

密钥存在 STM32 的 OTP 区域或者外部安全芯片里，不要明文存在代码里。这样即使 MRAM 被读取，数据也是加密的，无法直接使用。

8. 个人实操体会与建议

这套 MR25H40CDF 加 STM32L442KC 的方案，我从选型到量产花了大概两个月。中间踩的坑主要集中在硬件时序和电源设计上，软件层面反而比较顺利，因为 SPI 协议本身不复杂，MRAM 的指令集也简单。

如果让我给正在做类似项目的同行提建议，我会说：先把硬件做好，再调软件。SPI 通信失败十有八九是硬件问题，CS 时序、电源去耦、引脚连接，这些基础的东西没做好，软件怎么调都没用。我见过太多人一上来就怀疑代码，结果查了半天发现是 WP 引脚没接。

另外，不要迷信最高速度。40MHz 理论上是好的，但实际系统里 20MHz 可能更稳。工业现场干扰大，留点时序余量比追求极限速度重要。我量产的时候就把 SPI 时钟定在 20MHz，跑了一年多没出过问题。

最后，数据校验不能省。CRC 也好，校验和也好，一定要加。工业环境里数据出错是常态，没有校验的话，错误数据被当成正确数据用，后果可能很严重。硬件 CRC 单元用起来很方便，几行代码的事，但能避免大问题。

这套方案后续我还打算用在另一个项目上，做设备运行日志的存储。MRAM 的无限写入寿命和掉电安全性，正好适合这种需要长期记录、不能丢数据的场景。等有新进展再跟大家分享。