核心目标：探讨适用于SiC MOSFET器件的热瞬态测试方法，并提出一种结合实验与仿真的校准建模方案。🔍 主要内容详解1. 热瞬态测试基础（Thermal Transient Testing）目的：测量热量如何从芯片结（junction）流向环境（ambient），构建热阻 - 热容路径图（即结构函数，Structure Function）。优势：非破坏性检测可确定瞬态热阻抗（Zth）可识别热路径中的各层材料（如焊料、基板、散热膏等）可用于比较不同结构或监测老化（如分层、裂纹）原理：利用PN结正向电压（VF）作为温度敏感参数（TSP），其变化与温度呈线性关系：Δ T = Δ V F ⋅ K \Delta T = \Delta V_F \cdot K